项目简介
   本项目主要研究和开发高迁移率透明氧化物半导体薄膜，重点研究掺锌氧化铟（IZO)透明氧化物半导体薄膜；筛选合适的介质层材料，研究和制备优质致密的透明介质层薄膜；研究制备掺钨氧化铟（IWO）高迁移率TCO薄膜，使其与TOS薄膜具有良好的电接触特性；研究制备采用上述透明导电氧化物电极、透明的氧化物半导体沟道层和透明介质层构成的全透明TFT，研究TFT的尺寸和各种工艺技术对I-V特性曲线、场效应迁移率和漏电流等TFT性能的影响。